业界期待，梁孟松加入后的中芯国际在高端技术上会快速推进，14 纳米 FinFET 只是第一步，极可能在2019年就会紧接着推出第二代的 FinFET 技术，且因为台积电、三星都已进入 7 纳米工艺，为此，第二代 FinFET 可能会定调为一个全新的制程技术，例如“8 纳米”或是“9 纳米”工艺节点，跳过传统业界“10 纳米”的命名，也作为和7 纳米工艺之间的区隔。

　　FinFET 技术延续摩尔定律，可一路做到 7 纳米工艺

　　这次让国内半导体生产工艺技术曙光乍现的 14 纳米 FinFET 为什么很重要？这也是中国第一个自主研发的 FinFET 技术。

　　细数全球量产 FinFET 架构技术的半导体大厂包括英特尔、台积电、三星、 GlobalFoundries、联电等，上一代传统的 2D 电晶体架构发展至 28 纳米工艺节点后，因其物理限制导致很难再将该技术往下微缩，现在所谓的 22 纳米工艺也都是 28 纳米工艺的延续，因此，28 纳米也常被称为是依循传统摩尔定律的最后一个技术节点。

　　全新的 FinFET 技术是 3D 鳍式电晶体架构，是目前半导体的主流技术，也凭借该技术架构延续摩尔定律的寿命。

　　英特尔从 22 纳米开始发展 FinFET 技术工艺，三星在 14 纳米工艺世代、台积电在 16 纳米工艺开始导入 FinFET 架构，联电在 14 纳米导入，GlobalFoundries 的 14 纳米 FinFET 技术则是与三星做技术授权，放眼全球半导体产业，无论是 10 纳米或是 7 纳米工艺，也都是采用 FinFET 技术架构。

　　近期国内芯片产业发展虽然处于艰困时期，但却激发更多的突破与创举，更有不少具里程碑的好消息传出。

　　长江存储新技术 Xtacking 惊艳全球，中国芯片发展不畏打压力求突破

　　日前，身为国内存储阵营代表的长江存储，由 CEO 杨士宁领军宣布其全新的 Xtacking 技术架构问世，在国际级的闪存峰会（FMS）露脸，更获得“最具创新初创闪存企业”大奖，该公司开发成功的 32 层 3D NAND 技术计划在第四季实现量产，而杨士宁过去也曾经担任过中芯国际的首席运营官。而未隔几日，中芯国际又传来 14 纳米 FinFET 工艺技术将出现历史性的里程碑突破发展。

　　尽管中国芯片产业的发展前景看似阻力重重，但从近期各大厂端出的成绩单来看，这些阻力或者说压力，反而已然逐渐形成另一种形态的动力，透露的是国内各家芯片厂无论是技术开发，或是生产制造都是全力往前冲刺，越是受到打压，越要踩油门前进。

　　而且随着中芯国际、长江存储等接二连三的技术突破好消息传出，无疑是为国内芯片产业发展注入全新动能，这不只是心理层面上的激励作用，更具有大步向前的实质性意义，凸显国内半导体产业的一次关键性跨步跃进。